kiselkarbid är den enda kemiska föreningen av kol och kisel. Det producerades ursprungligen genom en elektrokemisk reaktion med hög temperatur av sand och kol. Kiselkarbid är ett utmärkt slipmedel och har tillverkats och gjorts till slipskivor och andra slipmedel i över hundra år. Idag har materialet utvecklats till en högkvalitativ teknisk kvalitet keramik med mycket goda mekaniska egenskaper. Den används i slipmedel, eldfasta material, keramik och många högpresterande applikationer. Materialet kan också göras till en elektrisk ledare och har applikationer i motståndsvärme, flamtändare och elektroniska komponenter. Strukturella och slitapplikationer utvecklas ständigt.
.Key Silicon Carbide Properties |
|
![]() |
Low density |
![]() |
High strength |
![]() |
Low thermal expansion |
![]() |
High thermal conductivity |
![]() |
High hardness |
![]() |
High elastic modulus |
![]() |
Excellent thermal shock resistance |
![]() |
Superior chemical inertness |
.
Silicon Carbide Typical Uses |
|
![]() |
Fixed and moving turbine components |
![]() |
Suction box covers |
![]() |
Seals, bearings |
![]() |
Ball valve parts |
![]() |
Hot gas flow liners |
![]() |
Heat exchangers |
![]() |
Semiconductor process equipment |
General Silicon Carbide Information
Silicon carbide is composed of tetrahedra of carbon and silicon atoms with strong bonds in the crystal lattice. Detta ger ett mycket hårt och starkt material. Kiselkarbid attackeras inte av några syror eller alkalier eller smälta salter upp till 800 C. I luft bildar sic en skyddande kiseloxidbeläggning vid 1200 C C och kan användas upp till 1600 C. Den höga värmeledningsförmågan i kombination med låg termisk expansion och hög hållfasthet ger detta material exceptionella termiska stöttåliga egenskaper. Kiselkarbidkeramik med liten eller ingen korngränsföroreningar bibehåller sin styrka till mycket höga temperaturer, närmar sig 1600 C-C utan hållfasthetsförlust. Kemisk renhet, motståndskraft mot kemisk attack vid temperatur och hållfasthetsretention vid höga temperaturer har gjort detta material mycket populärt som waferbrickstöd och paddlar i halvledarugnar. Materialets elektriska ledning har lett till dess användning i motståndsvärmeelement för elektriska ugnar, och som en nyckelkomponent i termistorer (temperaturvariabla motstånd) och i varistorer (spänningsvariabla motstånd).
Download Silicon Carbide datasheet
Silicon Carbide Engineering Properties*
Silicon Carbide Properties
|
|||
Mechanical
|
SI/Metric (Imperial)
|
SI/Metric |
(Imperial) |
Density |
gm/cc (lb/ft3) |
(193.5) |
|
Porosity |
% (%) |
(0) |
|
Color |
— |
black |
— |
Flexural Strength |
MPa (lb/in2x103) |
(80) |
|
Elastic Modulus |
GPa (lb/in2x106) |
(59.5) |
|
Shear Modulus |
GPa (lb/in2x106) |
— |
— |
Bulk Modulus |
GPa (lb/in2x106) |
— |
— |
Poisson’s Ratio |
— |
(0.14) |
|
Compressive Strength |
MPa (lb/in2x103) |
(566) |
|
Hardness |
Kg/mm2 |
— |
|
Fracture Toughness KIC |
MPa•m1/2 |
— |
|
Maximum Use Temperature (no load) |
°C (°F) |
(3000) |
|
Thermal |
|||
Thermal Conductivity |
W/m•°K (BTU•in/ft2•hr•°F) |
(830) |
|
Coefficient of Thermal Expansion |
10–6/°C (10–6/°F) |
(2.2) |
|
Specific Heat |
J/Kg•°K (Btu/lb•°F) |
(0.18) |
|
Electrical |
|||
Dielectric Strength |
ac-kv/mm (volts/mil) |
— |
semiconductor |
Dielectric Constant |
— |
— |
— |
Dissipation Factor |
— |
— |
— |
Loss Tangent |
— |
— |
— |
Volume Resistivity |
ohm•cm |
102–106 |
dopantberoende |
*alla egenskaper är rumstemperaturvärden utom som noterats.
de data som presenteras är typiska för kommersiellt tillgängligt material och erbjuds endast för jämförande ändamål. Informationen ska inte tolkas som absoluta materialegenskaper och utgör inte heller en representation eller garanti för vilken vi tar juridiskt ansvar. Användaren ska fastställa materialets lämplighet för den avsedda användningen och påtar sig all risk och ansvar i samband med detta.
tillbaka till början
standardprodukter / anpassade produkter och tjänster | fallstudier | Material
Designanteckningar | arbeta tillsammans | Vision | kontakta oss | webbplatskarta